Im Rahmen dieser Diplomarbeit konnten in den untersuchten MPtSi/Ge Systemen 3 bisher kaum charakterisierte äquiatomare MPtSi/MPtGe Verbindungen (TiPtSi, ZrPtSi, ZrPtGe) und 9 bisher unbekannte äquiatomare MPtSi/MPtGe Verbindungen (TiPtGe, VPtSi, VPtGe, NbPtGe, CrPtSi, CrPtGe, MnPtSi, MnPtGe und NiPtSi) hergestellt werden. Röntgendiffraktionsexperimente zeigten, dass diese in den TiNiSi-, MgAgAs-, Ni2In, HfRhSn- and Fe2P-Strukturen kristallisieren. Untersuchungen der bekannten Verbindungen TaPtSi und HfPtGe bestätigen die Literaturdaten. Interresante temperatur- oder konzentrationsinduzierte strukturelle Phasenübergänge in den Systemen MPtGe (M = Ti, V, Mn) konnten beobachtet werden. An allen Verbindungen wurden die Messungen der magnetischen Suszeptibilität und des elektrischen Widerstands durchgeführt.

During this diploma work on MPtSi/Ge systems 9 new compounds were synthesized (TiPtGe, VPtSi, VPtGe, NbPtGe, CrPtSi, CrPtGe, MnPtSi, MnPtGe und NiPtSi) which crystallize in TiNiSi-, MgAgAs-, Ni2In, HfRhSn- and Fe2P-structure, wich was obtained by x-ray measurements. As well 3 equiatomic compounds, which were roughly investigated (TiPtSi, ZrPtSi, ZrPtGe) were synthesized and investigated in more detail. The published data about the compounds HfPtGe and TaPtSi could be confirmed. Interesting temperature or composition dependent phase transitions in MPtGe (M = Ti, V, Mn) have been observed. The magnetic susceptibilities and the electric resistivity have been measured for all the compounds.